产品描述:
设备型号:MA-II-1D6U05,工作台模式:单工位曝光。
应用领域:
广泛应用于半导体、封装、LED、分立器件、5G通讯、新型光学器件、MEMS、FPC、化合物半导体、基板、功率器件等行业。在这些领域中,它发挥着制造高精度、高复杂度电路图形的重要作用。
1 | 运行速度 | 240片/h(±1.5um精度,3秒曝光),180片/h(±0.5um精度,3秒曝光) |
2 | 对准精度 | ±0.5um |
3 | 晶圆尺寸范围 | 2-8寸(根据客户情况定制合适的尺寸) |
4 | 光刻版尺寸 | 4-9寸(根据客户情况定制合适的尺寸) |
5 | 找平机构 | 电动三点式微力找平 |
6 | 晶圆片厚补偿 | 三点测片厚(非接触式测量,精度±2um),电动楔形补偿 |
7 | 设备电压 | AC 220V 50HZ |
8 | 设备气源要求 | 正压大于0.35Mpa,负压大于55KPa |
9 | 设备最大功率 | 4.5KW |
10 | 曝光灯波长 | 365nm-405nm-435nm |
11 | 曝光灯最大光功率 | 90mW/平方厘米 |
12 | 曝光灯平行半角 | 1.5度 |
13 | 曝光灯均匀性 | >= 97%(8寸的95%) |
14 | 曝光灯光偏角 | <=0.5度 |
15 | 曝光方式 | 接触式/接近式 |
16 | 找平精度 | ±2um |
17 | 分辨率 | 接触式1.0um,接近式3.0um(正胶厚度1um以内,曝光间隙5um) |
18 | 视觉识别精度 | 0.2um |
19 | 设备NG率 | 不大于0.5% |
20 | 升降平台重复精度 | ±0.5um |
21 | 碎片率 | 低于十万分之一 |
22 | UVW平台重复精度 | ±0.5um |
23 | 机械手上料精度 | ±100um |
24 | 平均无故障时间 | 连续运行144小时故障不超过1小时 |
25 | 平均换型时间 | 90秒 |
26 | 精度异常概率 | 低于0.001% |
27 | 设备内温度波动 | ±0.2℃ |
28 | 设备尺寸 | 长X宽X高= 1959mmX 1300mmX 2252mm (不带报警灯2100mm,拆掉FFU和报警灯1990mm) |
29 | 设备重量 | 960Kg |